Giới thiệu về cấu trúc vật liệu của pin lithium polymer nhiệt độ thấp

Nhiều người không biết thành phần của pin lithium polymer nhiệt độ thấp.để giới thiệu kiến thức kỹ thuật cơ bản cụ thể về pin lithium nhiệt độ thấp, để bạn có thể hiểu rõ hơn về đặc điểm của pin lithium nhiệt độ thấp

Độ dày nén của tấm cathode pin lithium ion nhiệt độ thấp (3) là 53-82 m,Các vật liệu hoạt động cathode là một hoặc nhiều lithium mangan oxide hoặc lithium nickel cobalt mangan oxide hoặc lithium cobalt oxide, chất kết dính là polyvinylidene fluoride; chất dẫn là phosphorus sheet graphite, acetylene trong 1500 ± 200m2 / g diện tích bề mặt cụ thể, VGCF, CNF trong một hoặc nhiều;Tỷ lệ phần trăm trọng lượng của vật liệu hoạt động cathode: keo: graphite quy mô: acetylene: VGCF là 85-96:1-5:1-3:1-4:1-3; Độ dày nén của tấm âm (5) là 56-62 m,Vật liệu hoạt động điện cực âm là một hoặc nhiều viêm graphite nhân tạo hoặc viêm carbon giai đoạn trung gianCác chất kết dính là một hoặc nhiều polyvinylidene fluoride, SBR và CMC, chất dẫn là một hoặc nhiều chất dẫn carbon đen, VGCF, CNF;Tỷ lệ phần trăm trọng lượng của vật liệu hoạt động điện cực âm: SBR: CMC: carbon black: VGCF là 85-96:1-5:1-3:1-4:1-3.Hiệu suất sản phẩm ổn định, năng lượng cụ thể cao và an toàn tốt.

Sử dụng & quot; tế bào pin lithium ion nhiệt độ thấp polymer tai ba cực & quot;, & quot; pin lithium ion nhiệt độ thấp polymer & quot;công nghệ bằng sáng chế pin sản xuất VGCF và (2000 ± 500) m2 / g than hoạt tính như chất phụ gia và phù hợp với vật liệu dương và âm, được tiêm với chất điện giải đặc biệt với các chất phụ gia đặc biệt, đảm bảo pin lithium chức năng xả nhiệt độ thấp trong khi nhiệt độ cao 70 ° C giữ 24h tỷ lệ thay đổi khối lượng 0,5%,chức năng an toàn và lưu trữ pin lithium thông thườngCác ứng dụng của nó bao gồm: quân đội thiết bị, hàng không, hàng không vũ trụ, nguồn cung cấp năng lượng thiết bị ngập nước sâu, nghiên cứu khoa học cực,nguồn cung cấp điện cho thiết bị thăm dò, dây chuyền lạnh cứu hộ, nguồn cung cấp điện cứu trợ thảm họa, quần áo lạnh, giày lạnh đèn điện.